为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用...为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在...
SOT-23 MOS管 无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极。SOT-23 MOS管 无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极。
栅极(G):MOS管的控制引脚，G的全称是Gate，当在栅极(G)施加电压后，栅极(G)和硅...栅极(G):MOS管的控制引脚，G的全称是Gate，当在栅极(G)施加电压后，栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一...
MOS管2300 6A20V SOT23-特性 VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A VDS=20...MOS管2300 6A20V SOT23-特性 VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A VDS=20V,RDS(on)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.0A VDS=20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0A
选择一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配...选择一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用...
误启动是因MOSFET的各栅极电容（CGD,CGS）和RG引起的现象，在串联2个MOSFET的桥...误启动是因MOSFET的各栅极电容（CGD,CGS）和RG引起的现象，在串联2个MOSFET的桥式电路中，当位于开关侧的MOSFET导通（Turn-on）时，在原本为OFF状态的续流侧MOSFE...
