在驱动MOS晶体管Q2导通期间的开始部分，D1和S2将导通。但是当Ql已经关断并且基...在驱动MOS晶体管Q2导通期间的开始部分，D1和S2将导通。但是当Ql已经关断并且基—射结间的恢复电流已经变为零的时候，在绕组P2的电压通过R1使Dl和S2反偏关断。所有...
功率开关管的种类很多，如巨型晶体管GTR、快速晶闸管SCR、门极可关断晶闸管GTO...功率开关管的种类很多，如巨型晶体管GTR、快速晶闸管SCR、门极可关断晶闸管GTO、功率场效应晶体管P- MOSFET和绝缘栅双极型晶体管IGBT等。双极结型晶体管( BJT)是一...
由于在栅极与半导体之间有绝缘二氧化硅的关系，MOS器件的输入阻抗非常高，此一...由于在栅极与半导体之间有绝缘二氧化硅的关系，MOS器件的输入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的应用相当引人注目，因为高输入阻抗的关系，栅极漏电流非常...
在CMOS应用中能同时将p沟道与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上．需要额外的掺杂及...在CMOS应用中能同时将p沟道与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上．需要额外的掺杂及扩散步骤，以便在衬底中形成“阱”或“盆(tub)”．阱中的掺杂种类与周围衬底不同．...
单片MOS开关电源的典型应用电路如图1-13所示。由于单端反激式开关电源电路简单...单片MOS开关电源的典型应用电路如图1-13所示。由于单端反激式开关电源电路简单、所用元件少，输出与输人间有电气隔离，能方便地实现多路输出，开关管驱动简单，所...
导通瞬间基极过驱动峰值输入电流／bl为了保证迅速导通集电极电流，需要有一个持...导通瞬间基极过驱动峰值输入电流／bl为了保证迅速导通集电极电流，需要有一个持续时间很短且峰值约为导通期间平均值2～3倍的基极尖峰电流供给基极。该尖峰的持续时...
