在图2-31(a)中，s表示Source，源极；D表示Drain，漏极；G表示Gate，栅极。在漏...在图2-31(a)中，s表示Source，源极；D表示Drain，漏极；G表示Gate，栅极。在漏极和源极之间加上一个正向电压后，N型半导体中的多数载流子（电子）便能够导电了。这...
三极管是电子电路中最重要的核心电子元器件之一，它具有放大作用，在各种电子电...三极管是电子电路中最重要的核心电子元器件之一，它具有放大作用，在各种电子电路中的应用十分广泛。当然，我们现在说的三极管丰要是指晶体三极管。电子管的三极管...
场效应管的特点足由栅极电压U(;控制其漏极电流ID和普通双极型晶体管相比较，场...场效应管的特点足由栅极电压U(;控制其漏极电流ID和普通双极型晶体管相比较，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点。 场效应管...
场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，外形...场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，外形如图4-21所示。和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范...
双极型晶体管(Bipolar Transistor)是一种电流控制器什，电子和空穴同时参与导电...双极型晶体管(Bipolar Transistor)是一种电流控制器什，电子和空穴同时参与导电。与场效应晶体管相比，双极型品体管的开艾速度快，但其输入阻抗小，功耗大。双极型...
如图所示为N沟道VDMOSFFT与GTR组合的N沟道IGBT(N-IGBT)的内部结构断面示意图。...如图所示为N沟道VDMOSFFT与GTR组合的N沟道IGBT(N-IGBT)的内部结构断面示意图。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，形成丁一个大面积的PN结J1。由于IGBT导通时由P+注入...
