1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟...1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS...
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效...金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加...
CMOS反相器，上方PMOS的栅极与下方NMOS的栅极相连，两种器件皆为加强型MOSFET；...CMOS反相器，上方PMOS的栅极与下方NMOS的栅极相连，两种器件皆为加强型MOSFET；对PMOS器件而言，阈值电压VTn小于零，而对NMOS器件而言，阈值电压VTn大于零（通常阈...
MOSFET是ULSI电路中最主要的器件，由于它可比其他品种器件减少至更小的尺寸. M...MOSFET是ULSI电路中最主要的器件，由于它可比其他品种器件减少至更小的尺寸. MOSFET的主要技术为CMOS(CMOSFET，complementary MOSFET)技术，用此技术，n沟道与p沟...
N沟MOS晶体管：衬底为P型，源漏为重掺杂的N＋，沟道中载流子为电子。P沟MOS晶体...N沟MOS晶体管：衬底为P型，源漏为重掺杂的N＋，沟道中载流子为电子。P沟MOS晶体管：衬底为N型，源漏为重掺杂的P＋，沟道中载流子为空穴。在正常青况下，只需一种类...
大部分MOSFET管指定了最大栅源极间电压(±20V）。假定超越这个限制，器件就容易...大部分MOSFET管指定了最大栅源极间电压(±20V）。假定超越这个限制，器件就容易被损坏。当MOSFET管工作时运用栅极输入电阻，并在一个具有较大供电电压的电路中关断...
