图中有两个型号的MOS管，Q1是N沟道MOS管（型号是FDN335N），Q2是P沟道MOS管（型...图中有两个型号的MOS管，Q1是N沟道MOS管（型号是FDN335N），Q2是P沟道MOS管（型号是AO3401）。MOS是通过控制栅极和源极之间的电压差（Vgs）来实现导通和截止的。
如下图所示R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通...如下图所示R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通，MOS管Q1的VGS
在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，功率MOSFET工作在开关状态，将输入的电流...在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，功率MOSFET工作在开关状态，将输入的电流斩波为和输入正弦波电压同相位的、具有正弦波包络线的开关电流波形，从而提高输入的...
MOS管3203 30V100A参数-特点 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先进沟槽MO...MOS管3203 30V100A参数-特点 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术 极低通阻RDS(通) 符合JEDEC标准
MOS管有如下参数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下参数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。
1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高...1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高于一定的值,就可以了。 MOS管和晶体管向比较 c ,b ,e —–> d （漏）, g（栅） , s...
