crss是什么电容,反向传输电容Crss详解-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-07-17
Crss是MOSFET中的反向传输电容，物理本质为栅极-漏极电容（Cgd），也称为米勒电容。
Crss的定义
Crss是MOSFET规格书中的关键参数之一，定义为栅极（Gate）与漏极（Drain）之间的电容，即栅漏电容Cgd。由于其在开关过程中通过米勒效应显著影响器件动态性能，故常被称为米勒电容。
Crss的电路特性
1.开关速度影响：Crss在MOSFET开关过程中主导米勒平台阶段，延长栅极电压变化的充放电时间，从而降低开关速度并增加损耗。
2.高频特性：较大的Crss会导致漏源电压（VDS）上升/下降时间延长，易引发自激振荡，需通过优化驱动电路或选择低Crss器件抑制。
3.电压依赖性：Crss随漏源电压（VDS）升高而减小，但几乎不受温度变化影响。
MOSFET的三个主要电容参数，输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）决定了器件在开关过程中的速度和效率。
由于 MOSFET的结构，会产生寄生电容（CGS、CGD、CDS）。这些寄生电容会影响开关特性。
在MOSFET中，栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此，功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容，具体如图所示。电容会影响MOSFET的开关性能。
反向传输电容Crss、输入电容Ciss、输出电容Coss
反向传输电容Crss=Cgd，米勒电容主导开关期间VDS变化阶段（米勒平台），延长开关时间并增加损耗；
输入电容Ciss=Cgs+Cgd，总电荷决定栅极充电时间，影响开启延迟；
输出电容Coss=Cds+Cgd，储存能量导致关断时VDS上升时间及损耗。
开通时，开启延迟由Cgs充电至阈值电压（Vth），米勒平台由Cgd充电；关断时类似，初始阶段Cgs放电，米勒平台由Cgd放电。Cgd和Cgs是决定开关速度的主要电容。
提高开关速度需：缩短Cgd/Cgs充放电时间（如降低驱动电阻、提高驱动电流）、选低Crss器件（减小米勒电容）、优化布局降低寄生参数。
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