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pmos的开启电压,pmos管的导通条件-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2025-07-17 

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pmos的开启电压,pmos管的导通条件-KIA MOS管


pmos是低电压开启吗?

pmos是低电压开启的,其导通条件是栅极电压(Vgs)低于阈值电压(通常为负值),即栅极相对于源极为负电压时导通。

pmos的开启电压是多少?

pmos管的开通电压为负值,通常在-5V至-10V范围内。

pmos管开通条件在于栅源电压(VGs)需满足:

1.电压差要求

当VGs为负值(即源极电压Vs高于栅极电压VG)时,pmos管导通。

具体阈值范围通常为-5V至-10V,具体数值需参考器件数据手册中的阈值电压(VGs(th))。

2.应用场景限制

由于pmos的源极通常接高电位(如电源Vcc),而栅极需通过负压控制以实现导通,这增加了设计的复杂性。

在高端驱动电路中,若漏极与源极电压相同(如Vcc),则需确保栅极电压低于源极约4V至10V。

3.参数影响

导通电阻(RDS(on))随VGs绝对值的增加而降低,但需避免超过器件最大承受电压。

寄生电容(如Cgd)可能影响开关速度,需通过外部电路优化(如添加驱动电阻或负压电路)。

pmos,开启电压,导通条件

pmos管的导通条件

栅极电压(Vgs)小于源极电压(Vs),即:Vgs=Vg-Vs<VthVgs=Vg-Vs<Vth其中,VthVth是PMOS管的阈值电压,通常是一个负值。

工作模式条件

根据PMOS管的工作模式,其导通条件可以进一步细分:

1.线性区(放大区)

条件:Vgs<Vth且Vds>Vgs-VthVgs<Vth且Vds>Vgs-Vth

在这个区域,PMOS管的漏极电流与漏源电压(Vds)成线性关系,类似于一个可控电阻。

2.饱和区(工作区)

条件:Vgs<Vth且VdssVgs-VthVgs<Vth且VdssVgs-Vth

在这个区域,漏极电流基本不随漏源电压变化,主要由栅源电压控制。

KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营:场效应管(MOS管)、COOL MOS(超结场效应管)、三端稳压管、快恢复二极管;广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域;可申请免费送样以及报价、技术支持服务。

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