-100a-40v pmos,3204场效应管,KPD3204B参数资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-07-17
KPD3204B场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低栅极电荷，减少开关损耗，高效率低损耗；100%EAS保证、dV/dt效应显著下降，稳定可靠，绿色设备可用，性能优越；封装形式：TO-252，体积小、散热出色。
漏源电压：-40V
漏极电流：-100A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-300A
雪崩能量单脉冲：361MJ
总功耗：83W
总栅极电荷：148nC
阈值电压：-1.8V
输入电容：6760PF
输出电容：650PF
反向传输电容：440PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：70nS
上升时间：16ns
下降时间：30ns
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