pwm mos管应用,3306场效应管,KNB3306C参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-06-17
KNB3306C场效应管漏源电压68V，漏极电流80A，极低电阻RDS（ON）为6.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；低Crss、快速切换特性，实现快速切换电源，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；适用于PWM应用程序、电源管理、负载开关中；封装形式：TO-263，体积小、散热良好。
漏源电压：68V
漏极电流：80A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：320A
单脉冲雪崩能量：260MJ
功率耗散：125W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：92.6nC
输入电容：5850PF
输出电容：230PF
反向传输电容：210PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：48nS
上升时间：24ns
下降时间：10ns
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