电子负载mos管,30v90a,3303场效应管,KNY3303C-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-06-16
KNY3303C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用先进的沟槽制造工艺，极低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，减少导通损耗，高效低耗；低Crss、开关速度快，性能优越；100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，确保稳定性和可靠性；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用场景；封装形式：DFN5x6，体积小、散热良好。
漏源电压：30V
漏极电流：90A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：400A
雪崩能量单脉冲：289MJ
总功耗：66W
阈值电压：1-2.2V
总栅极电荷：60nC
输入电容：3280PF
输出电容：360PF
反向传输电容：320PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：54nS
上升时间：100ns
下降时间：98ns
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