80a80vmos管,3308参数引脚图,KND3308A场效应管-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-02-13
KND3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，广泛应用在电动车控制器、逆变器、BMS保护板、储能电源中，高效低耗；封装形式：TO-252，体积小、散热良好。
漏源电压：80V
漏极电流：80A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：340A
雪崩能量单脉冲：529MJ
总功耗：120W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：76nC
输入电容：3110PF
输出电容：445PF
开通延迟时间：20.4nS
关断延迟时间：63nS
上升时间：67ns
下降时间：43ns
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