8n60场效应管参数代换,KIA8N60H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-08-23
KIA8N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，RDS（开）值仅为0.98Ω，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现快速切换能力；具有快速开关时间、改进的dv/dt能力、高雪崩特性，高效稳定。KIA8N60H可以替代8N60型号在电源、LED驱动、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路中的高速开关应用，封装形式： TO-220、220F。
漏源电压：600V
漏极电流：7.5A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.98Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：30A
最大功耗：147/48W
输入电容：1000PF
输出电容：110PF
反向传输电容：12PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：80nS
上升时间：50ns
下降时间：70ns
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
