7n60场效应管参数,led驱动mos管,KIA7N60H参数管脚-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-08-22
KIA7N60H采用先进的平面条纹DMOS技术生产，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，非常适合高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
KIA7N60H场效应管可以代换7n60型号，在高压应用中表现出色，漏源击穿电压600V，漏极电流7A，RDS（打开）=1.0Ω @ VGS=10V，低导通电阻，有效降低功耗和提高效率；具有超低的栅极电荷，典型值为27nC，以及低反向转移电容、雪崩能量测试、改进的dv/dt能力，确保在快速切换过程、高压、高频率条件下稳定可靠，多种封装形式： TO-263、262、220、220F，方便安装使用。
漏源电压：600V
漏极电流：7.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.0Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：215MJ
最大功耗：140/45W
输入电容：900PF
输出电容：100PF
反向传输电容：11.5PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：75nS
上升时间：45ns
下降时间：70ns
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