12n60场效应管参数,高压mos管,KIA12N60H参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-08-26
KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计，可以替代12N60型号应用在开关电源、LED驱动、储能电源中；漏源击穿电压600V，漏极电流12A，RDS(on)= 0.53Ω @ VGS=10V，低导通电阻，超低栅极电荷52nC，高效率低损耗；具有快速切换能力、改进的dv/dt能力、指定的雪崩能量，稳定可靠；封装形式： TO-220、220F。
漏源电压：600V
漏极电流：12A
漏源通态电阻：0.53Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：48A
雪崩能量单脉冲：865MJ
功率耗散：231W
总栅极电荷：52nC
输入电容：1850PF
输出电容：180PF
开通延迟时间：30nS
关断延迟时间：140nS
上升时间：90ns
下降时间：90ns
联系方式：邹先生
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