电机控制器MOS管,9130场效应管,KNX9130B参数资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-06-21
电机控制器专用MOS管KNX9130B采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，RDS（ON）=0.12Ω（典型值）@VGS=10V，降低导通损耗，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性。
KNX9130B场效应管广泛在DC-DC转换器、UPS、DC-AC逆变器、SMPS和电机控制领域应用，封装形式：TO-220、TO-3P，多种选择方便安装使用。
漏源电压：300V
漏极电流：40A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.12Ω
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：160A
雪崩能量单脉冲：1154MJ
总功耗：340/380W
总栅极电荷：105nC
输入电容：2830PF
输出电容：85PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：55nS
上升时间：15ns
下降时间：18ns
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