锂电池保护板mos管,042N10参数场效应管代换,KCB3010A资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-06-20
KCB3010A是采用先进SGT技术的N沟道增强型功率MOSFET，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能和增强雪崩能量，漏源击穿电压100V，漏极电流120A，低导通电阻（典型值）RDS（导通）=4.0mΩ；具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高等出色性能。
KCB3010A适用于锂电池保护板、电机驱动器和高速开关应用的设备，封装形式：TO-263体积小，散热良好，提高设备的可靠性和稳定性，能够匹配HYG042N10S1B、CRSS042N10N场效应管代换使用。
漏源电压：100V
漏极电流：120A
漏源通态电阻(RDS(on))：4mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：480A
雪崩能量单脉冲：756.25MJ
总功耗：175W
总栅极电荷：89.5nC
输入电容：6700PF
输出电容：880PF
开通延迟时间：32nS
关断延迟时间：68.5nS
上升时间：55ns
下降时间：31ns
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