无线充MOS管,ncep15t14参数代换,2915场效应管-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-06-24
无线充专用MOS管KNB2915A采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压150V，漏极电流130A，RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V，具有极低导通电阻RDS（on）和优秀的Qg x RDS（ON）产品（FOM），符合JEDEC标准，能够匹配ncep15t14参数代换使用，KNB2915A封装形式：TO-263，在电机控制和驱动、电池管理、UPS（不间断电源）都能展现出优异的性能。
漏源电压：150V
漏极电流：130A
漏源通态电阻(RDS(on))：10mΩ
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：500A
雪崩能量单脉冲：272MJ
总功耗：428W
总栅极电荷：70nC
输入电容：3560PF
输出电容：330PF
开通延迟时间：18nS
关断延迟时间：35nS
上升时间：92ns
下降时间：70ns
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