1n60场效应管参数,1n60参数引脚图,1n60中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-03-29
KIA1N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高压、高速功率开关应用设计的，在开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器及继电器驱动器中，这款MOSFET都能发挥出色的性能。
1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力，且在VGS=10伏时的开态电阻仅为9.3Ω，确保稳定可靠的性能、低栅极电荷仅为5.0nC，在控制电荷时更加高效、还具备高坚固性、快速切换能力、指定雪崩能量和改进的dv/dt能力，能够保证设备在高负荷下运行时仍保持稳定性和可靠性。
漏源电压：600V
漏极电流：1A
漏源通态电阻(RDS(on))：9.3Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：4.0A
雪崩能量单脉冲：33MJ
最大功耗：28W
输入电容：120PF
输出电容：20PF
总栅极电荷：4.8nC
开通延迟时间：7nS
关断延迟时间：13nS
上升时间：21ns
下降时间：27ns
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
