?5610场效应管,5610参数管脚图,KNX5610A中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-03-28
KNX5610A是最高性能的沟道N沟道MOSFETS，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。KNX5610A符合RoHS和绿色产品要求。
KNX5610A场效应管采用高单元密度的先进沟槽技术，漏极电流7A，漏源击穿电压100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有优异的导通特性；超低栅极电荷，减小开关损耗；出色的Cdv/dt效应设计，可靠性高，在各种工作条件下都能稳定地工作；适用于高频负载点同步降压变换器、DC-DC电力系统联网、负载开关等应用场景，是电子器件领域中的一款高性能元件。
漏源电压：100V
漏极电流：7A
漏源通态电阻(RDS(on))：98mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：14A
最大功耗：22.7W
输入电容：1535PF
输出电容：60PF
总栅极电荷：26.2nC
开通延迟时间：4.2nS
关断延迟时间：35.6nS
上升时间：8.2ns
下降时间：9.6ns
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