?80n120参数,KSZ080N120A中文资料,充电桩MOS管??-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-03-27
碳化硅MOS管KSZ080N120A参数：28A，1200V；RDS（ON）仅为80mΩ，在VGS为20V，TJ为25°C时达到典型值，具有低导通电阻和高阻断电压的特点；在低电容条件下能实现高速开关；具备强大的雪崩强度，可应用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压DC-DC转换器以及电池充电器等领域。
碳化硅MOS管KSZ080N120A的低导通电阻和高阻断电压特性，能够减小功率损耗，在高压转换和开关过程中的响应速度快，能够实现高频率的高速开关，可以有效提高电路的效率和性能，使得电源系统在工作过程中更加稳定可靠。
漏源电压：1200V
漏极电流：28A
漏源通态电阻(RDS(on))：80mΩ
栅源电压：-5/+20V
脉冲漏电流：60A
雪崩能量单脉冲：720MJ
最大功耗：166W
输入电容：2025PF
输出电容：71.9PF
总栅极电荷：86nC
开通延迟时间：22nS
关断延迟时间：18nS
上升时间：62ns
下降时间：12ns
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
