40n120参数及代换,变频器MOS管KSZ040N120A参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-03-26
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的参数特性，RDS（ON）仅为40mΩ（典型值）在VGS=20V，TJ=25℃条件下，在高电压下能够拥有较低的导通电阻，同时表现出优异的高速开关性能。40n120具有雪崩耐量，可靠性高，适用于轨道交通、变频器、充电桩等领域。
KSZ040N120A的设计考虑了平行连接和简单驱动的便利性，在实际工程中易于应用和控制，符合无卤素，符合RoHS标准，高电压承受能力，低电阻特性以及稳定可靠的工作表现，能够在各种应用、环境中高效稳定运行。
漏源电压：1200V
漏极电流：60A
漏源通态电阻(RDS(on))：40mΩ
栅源电压：-5/+18V
脉冲漏电流：100A
雪崩能量单脉冲：934MJ
最大功耗：375W
输入电容：3110PF
输出电容：185PF
总栅极电荷：148nC
开通延迟时间：23nS
关断延迟时间：39nS
上升时间：47ns
下降时间：53ns
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