1n65场效应管,1n65参数引脚图,1A 650V,KIA1N65H-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-04-02
KIA1N65H N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高压、高速电源开关应用而设计的理想选择，在开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器以及继电器驱动器等应用中都能发挥出色的性能。
1n65场效应管漏极电流1A，漏源电压高达650V，RDS（开）为9.3? @VGS=10V、低栅极电荷仅为5.0nC，提供高坚固性和快速切换能力、还具备指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，保证了在各种应用场景下的稳定性和可靠性。封装形式有TO-252、TO-251和TO-92，满足不同设计需求。KIA1N65H是一款性能优越、适用广泛的MOSFET，能够在各种高压、高速电源开关应用中展现出色的表现。
漏源电压：650V
漏极电流：1A
漏源通态电阻(RDS(on))：9.3Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：4.0A
雪崩能量单脉冲：33MJ
最大功耗：28W
输入电容：120PF
输出电容：20PF
总栅极电荷：4.8nC
开通延迟时间：7nS
关断延迟时间：13nS
上升时间：21ns
下降时间：27ns
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