电动车控制器75N75型号参数及封装-MOS在电动车控制器中的应用-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-12-04
75NF75是N沟道增强型功率场状态特性稳定、快速的效应晶体管开关速度，低热阻，常用于电信和计算机应用。
RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V
超低栅电荷（典型的90纳米）
快速交换能力
指定雪崩能量
改进的dv/dt能力，坚固性高
产品型号：KIA75NF75
工作方式：80A/80V
漏源电压：80V
栅源电压：±25V
连续漏电流：80A/70A
脉冲漏电流：340A
雪崩电流：20A
雪崩能源:410MJ
最大功耗:240W/100W
查看详情，请点击下图。
开通过程、导通状态、关断过程、截止状态、击穿状态。
MOS主要损耗包括开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。电动车控制器场效应管只要把这些损耗控制在MOS承受规格之内，MOS即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。
而开关损耗往往大于导通状态损耗，尤其是PWM没完全打开，处于脉宽调制状态时（对应电动车的起步加速状态），而最高急速状态往往是导通损耗为主。
电动车控制器场效应管简单来说电机是靠MOS的输出电流来驱动的，输出电流越大（为了防止过流烧坏MOS管，控制器有限流保护），电机扭矩就强，加速就有力。
我们电动车控制器场效应管和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。平面型结构是指，mos栅极，源级和漏级都在芯片表面（或者说正面），而沟道也在芯片表面横向排列。（我们常见的教科书的介绍mos原理一般都是拿平面结构介绍）。而功率mos的立体结构（沟道是深槽立体结构）是栅极和源级引线从芯片正面引出（其实栅极也不在表面而是内部，只是比较靠近表面），而漏级是从芯片背面引出（其实整个芯片背面都是漏级连接在一起的，整个个漏级用焊接材料直接焊接在金属板上，就是mos的金属背板，一般是铜镀锡的），所以我们见到的mos一般金属板和中间引脚（就是漏级）是完全导通的（有些特殊的封装是可以做到金属板和中间脚绝缘的）。
功率mos内部从漏级到源级是有一个二极管的，这个二极管基本上所有的功率mos都具有，和它本身结构有关系（不需要单独制造，设计本身就有）。当然可以通过改变设计制造工艺，不造出这个二极管。但是这会影响芯片功率密度，要做到同样耐压和内阻，需要更大的芯片面积（因为结构不同）。大家只是知道这回事就行了。
我们所见的电动车控制器场效应管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成（实际数量一般是上千万个，和芯片面积和工艺有关）。如果在工作中，有一个或几个小管短路，则整个mos表现为短路，当然大电流短路mos可能直接烧断了（有时表现为金属板和黑色塑封间开裂），又表现为开路。大家可能会想这上千万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。
它们的各种开关动作几乎完全一致，当然最终烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。有时一点小的工艺缺陷（比如一个1um甚至更小的颗粒如果在关键位置）往往会造成整个芯片（缺陷所在的管芯）报废。
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