FDP51N25供应商-FDP51N25参数中文资料 货源稳定 -KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-11-28
1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V
2、低栅极电荷（典型的55nC）
3、低Crss（典型的63PF）
4、快速切换
5、100%雪崩试验
6、提高dv/dt能力
漏源极电压：250V
门源电压：±30V
单脉冲雪崩能：1111MJ
雪崩电流：51A
重复雪崩能量：32MJ
KIA半导体专业做场效应管10几年，一直是品质追求，我们产品都是经过10几道工艺才制成成品。
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