KIA100N03AD 90A/30V替代?IR8726 PDF资料 货源稳定 -KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-11-27
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功率MOSFET采用平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V
改进的dv/dt能力
快速恢复体二极管
无铅和绿色设备数（RoHS）
产品型号：KIA100N03AD
工作方式：90A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
漏电流连续：90A
脉冲漏极电流：360A
雪崩电流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：88W
热电阻：62℃/V
温度系数：0.03V/℃
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：2200PF
输出电容：280PF
上升时间：19.5ns
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