10n60 9.5A/600V场效应管参数PDF中文资料-半导体原厂-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-10-11
可易亚设计了KIA10N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET适用于高电压、高速度的功率开关应用，如高效率的开关电源。电源，有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥式，以消光。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低门电荷（典型的44nC）
3、快速交换能力
4、雪崩能量指定值
5、改进的dv/dt能力
产品型号：KIA10N60H
工作方式：9.5A/600V
漏源极电压：600V
栅源电压：±30V
漏电流脉冲：38.0*A
结温：+150℃
贮存温度：-55℃至150℃
以下为KIA10N60H产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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