无线充电的实现通常需要两个线圈，一个是置于充电平台中的发射线圈，另一个是置...无线充电的实现通常需要两个线圈，一个是置于充电平台中的发射线圈，另一个是置于电子设备内的接收线圈。当一个变化的电流通过充电平台的发射线圈时，线圈内会产生...
大功率场效应管KNP6140S漏源击穿电压400V，漏极电流11A，专为高压、高速功率开...大功率场效应管KNP6140S漏源击穿电压400V，漏极电流11A，专为高压、高速功率开关应用设计；极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电...
MMBT5401高压PNP双极晶体管，该器件设计为通用放大器和开关，用于需要高电压的...MMBT5401高压PNP双极晶体管，该器件设计为通用放大器和开关，用于需要高电压的应用。采用SOT-23封装，专为低功耗表面贴装应用而设计。
KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0...KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，...
脉冲高电平持续时间（Ton）：是脉冲信号处于高电平状态的时间。 脉冲周期（T）...脉冲高电平持续时间（Ton）：是脉冲信号处于高电平状态的时间。 脉冲周期（T）：是脉冲信号从开始到重复出现所需的时间长度（即：高电平时间+低电平时间）。
