mmbt5401参数,引脚图,mmbt5401资料手册-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-06-04
MMBT5401高压PNP双极晶体管，该器件设计为通用放大器和开关，用于需要高电压的应用。采用SOT-23封装，专为低功耗表面贴装应用而设计。
电压特性
集电极-发射极电压（VCEO）：150V
集电极-基极电压（VCBO）：160V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
电流与功率
集电极电流（Ic）：500-600mA
功率耗散（Pc）：300-350mW
增益与频率
直流电流增益（hFE）：50（最小值）至240（最大值）。
跃迁频率（T）：100-300MHz。
封装类型：SOT-23（3引脚）
尺寸：2.9×1.3×0.94mm（长×宽×高）。
工作温度：-55℃至+150℃。
饱和压降：集电极-发射极（VCE(sat)）≤0.5V
截止电流（ICBO）：≤0.1μA
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