KNX2910B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，提供优异的Rd...KNX2910B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，提供优异的Rdson，RDS（ON）值为9mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；...
KNP2910A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，RD...KNP2910A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，RDS（ON）值为5mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；100%雪崩...
KNB2808A是一款10串-16串?；ぐ遄ㄓ肕OS管，漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，R...KNB2808A是一款10串-16串?；ぐ遄ㄓ肕OS管，漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开...
KIA35P10AD场效应管采用先进的沟槽MOSFET技术，在电机控制和驱动、电池管理、U...KIA35P10AD场效应管采用先进的沟槽MOSFET技术，在电机控制和驱动、电池管理、UPS不间断电源中热销，漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ，RDS（ON）值为32mΩ，提供...
KNB3308B是一款10-16串?；ぐ遄ㄓ肕OS管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（...KNB3308B是一款10-16串?；ぐ遄ㄓ肕OS管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ，低导通电阻最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，确保锂电池...
KNB3208A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=1...KNB3208A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用专有新沟槽技术，超低??电阻减少导电损耗，最小化开关损耗；低门电荷、快...
