KIA12N65H场效应管漏源电压650V，漏极电流12A，导通电阻RDS（ON）0.63Ω，高效...KIA12N65H场效应管漏源电压650V，漏极电流12A，导通电阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值52nC），最小化开关损耗，快速切换能力在电路中能够迅速响...
KIA13N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，导通电阻RDS（ON）0.4Ω，高效低...KIA13N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，导通电阻RDS（ON）0.4Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、...
KIA16N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流16A，出色的导通电阻RDS（ON）0.32Ω...KIA16N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流16A，出色的导通电阻RDS（ON）0.32Ω；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改...
储能电源场效应管KIA10N60H漏源电压600V，漏极电流9.5A，出色的导通电阻RDS（O...储能电源场效应管KIA10N60H漏源电压600V，漏极电流9.5A，出色的导通电阻RDS（ON）0.6Ω；低栅极电荷（典型值44nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩...
锂电池保护板mos管KIA7P03A是一款高单元密度P沟道MOSFET，漏源电压-30V，漏极电...锂电池保护板mos管KIA7P03A是一款高单元密度P沟道MOSFET，漏源电压-30V，漏极电流-7.5A，出色的导通电阻RDS（ON）18mΩ；具有超低的栅极电荷，最小化开关损耗，具...
逆变器场效应管KNF7650A采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设...逆变器场效应管KNF7650A采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设备性能，提高系统效率；KNF7650A漏源电压500V，漏极电流25A，RDS（ON）为170mΩ；低...
