MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementM...MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementMOS）。 因为场效应管拓展器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不必运用电...
用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，...用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就持平于在源、漏极之间加了一个反向电压。此...
Mosfet参数意义阐明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所...Mosfet参数意义阐明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id：...
P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大...P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之...
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementM...MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementMOS）。这兩种型态的构造没有太大的差異，仅仅耗尽型MOS一开始在Drain-Source的通道上...
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见...MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
