MOS管参数大全
信息来源：本站 日期：2017-04-27
Mosfet参数意义阐明 Features:
Pd: 最大耗散功率
Tj: 最大作业结温，通常为150度和175度
Tstg: 最大存储温度
Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的增加而下降，表现一个抗冲击才华，跟脉冲时刻也有联络
Iar: 雪崩电流
Ear: 重复雪崩击穿能量
BVdss： DS击穿电压 Idss: 丰满DS电流，uA级的电流 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 Igss: GS驱动电流，nA级的电流.
Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量
gfs: 跨导 Qg: G总充电电量
Qgs: GS充电电量
Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量
Qgd: GD充电电量
Td(on): 导通推迟时刻，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时刻
Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs.
Tf: 下降时刻，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻
Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.
联系方式：邹先生
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”
长按二维码识别关注
