MOS管的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的...MOS管的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
合上电源开关Q，按下正向起动按钮SB2,接触器KM1的线圈通电并吸合，其主触点闭合...合上电源开关Q，按下正向起动按钮SB2,接触器KM1的线圈通电并吸合，其主触点闭合，常开辅助触点闭合自锁，电动机M正向旋转。同时KM1的常闭辅助触点断开，避免接触器...
KNY2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启) 1....KNY2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启) 1.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改...
在PFC电路中，MOSFET损耗约占总损耗的20%左右。通过选择正确的器件，PFC效率能...在PFC电路中，MOSFET损耗约占总损耗的20%左右。通过选择正确的器件，PFC效率能够得到大幅提升。为PFC电路选择合适MOSFET器件的一种方法是使用针对特定应用的品质因...
在开关电源的整流电路和滤波电容之间增加一个DC－DC的斩波电路，如图所示（斩波...在开关电源的整流电路和滤波电容之间增加一个DC－DC的斩波电路，如图所示（斩波电路等于附加一个开关电源）。对于供电线路来说，该整流电路输出没有直接接滤波电容...
KND3404D场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽工艺技术，极低...KND3404D场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽工艺技术，极低的导通电阻RDS(开启) 4.4mΩ，最大限度地减少导电损耗；低Crss、快速切换，高效稳定...
