KIA原厂家mos场效应管 KNP6140A N沟道 10A /400V PDF文件下载-KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-03-16
专有的新平面技术
RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V
低门电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
镇流器和照明
DC-AC逆变器
其他应用程序
产品型号：KNP6140A
工作方式：10A/400V
漏源电压：400V
栅源电压：±30A
漏电流连续：10A
脉冲漏极电流：6A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：140W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：400V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1254PF
输出电容：21PF
上升时间：25ns
封装形式：TO-251、252
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KNP6140A N沟道MOSFET |
| 产品编号 | KNP6140A 10A/400V |
| 产品特征 |
专有的新平面技术 RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V 低门电荷最小化开关损耗 快速恢复体二极管 |
| 应用范围 |
镇流器和照明 DC-AC逆变器 其他应用程序 |
| 封装形式 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF页总数 | 总8页 |
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联系电话：0755-83888366-8022
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