4660A mos管现货供应商 KIA4660A 7.5A/600V PDF文件下载-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-03-16
KIA4660A是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
RDS(on) =1.0?(典型值) @ VGS =10V
超低栅极电荷（典型的27nc）
低反向转移电容
快速切换的能力
雪崩能量测试
改进的dv / dt的能力，高耐用性
产品型号：KIA4660A
工作方式：7.5A/600V
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
漏电流连续：7.5A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：215mJ
耗散功率：1.1W/℃
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：600V
温度系数：0.6V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：900PF
输出电容：100PF
上升时间：45ns
封装形式：TO-263
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KIA4660A |
| 产品编号 | KIA4660A 7.5A/600V |
| 产品描述 |
KIA4660A是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。 |
| 产品特征 |
RDS(on) =1.0?(典型值) @ VGS =10V 超低栅极电荷（典型的27nc） 低反向转移电容 快速切换的能力 雪崩能量测试 改进的dv / dt的能力，高耐用性 |
| 封装形式 | TO-263 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF页总数 | 总6页 |
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