6165A现货供应商 KIA6165A 10A/650V PDF文件下载-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-03-15
1、KNX6165A产品描述
KNX6165A通道增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器
2、KNX6165A产品特征
符合RoHS
RDS（ON），典型值= 0.6Ω@ VGS=10v
低门电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
3、KNX6165A产品参数
产品型号：KNX6165A
工作方式：10A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±20V
漏电流连续：10A
脉冲漏极电流：40A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：216W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：650V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1554PF
输出电容：153PF
上升时间：31ns
封装形式：TO-220、220F
4、KNX6165A产品规格
 |
KNX6165A |
| 产品编号 | KNX6165A 10A/650V |
| 产品特征 |
符合RoHS RDS（ON），典型值= 0.6Ω@ VGS=10v 低门电荷最小化开关损耗 快速恢复体二极管 |
| 产品描述 |
KNX6165A通道增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器 |
| 封装形式 | TO-220、220F |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF页总数 | 总7页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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