3415mos管现货供应商 KIA3415A -4.0A/-16V PDF文件下载-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-03-16
KIA3415采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（上），低栅极电荷和低闸极电压为1.8v.这装置操作适合作为负荷开关或在PWM应用标准的产品kia3415无铅（符合RoHS及索尼259规格）
VDS (V)=-16V
ID =-4.0A
RDS(on) <45mΩ(VGS =-4.5V,I D =-4.0A)
RDS(on) <54mΩ(VGS =-2.5V,I D =-2.5A)
RDS(on) <75mΩ(VGS =-1.8V,I D =-2.0A)
产品型号：KIA3415
工作方式：-4.0A/-16V
漏源电压：-16V
栅源电压：±8A
漏电流连续：-4.0A
脉冲漏极电流：30A
耗散功率：1.4W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：-16V
栅极阈值电压：-0.4V
输入电容：1450PF
输出电容：205PF
上升时间：17ns
封装形式：SOT-23
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KIA3415 P沟道MOSFET |
| 产品编号 | KIA3415 -4.0A/-16V |
| 产品描述 |
KIA3415采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（上），低栅极电荷和低闸极电压为1.8v.这装置操作适合作为负荷开关或在PWM应用标准的产品kia3415无铅（符合RoHS及索尼259规格） |
| 产品特征 |
VDS (V)=-16V ID =-4.0A RDS(on) <45mΩ(VGS =-4.5V,I D =-4.0A) RDS(on) <54mΩ(VGS =-2.5V,I D =-2.5A) RDS(on) <75mΩ(VGS =-1.8V,I D =-2.0A) |
| 封装形式 | SOT-23 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF页总数 | 总5页 |
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