KIA原厂家mos场效应管 KIA50N03 N沟道 50A /30V PDF文件下载-KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-03-14
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
先进沟槽加工技术
超低电阻高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
产品型号：KIA50N03
工作方式：50A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
漏电流连续：50A
脉冲漏极电流：200A
耗散功率：60W
热电阻：50℃/W
漏源击穿电压：30V
栅极阈值电压：1V
输入电容：1180PF
输出电容：270PF
上升时间：6ns
封装形式：TO-251、252/220
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KIA50N03 |
| 产品编号 | KIA50N03 50A/30V |
| 产品特征 |
先进沟槽加工技术 超低电阻高密度电池设计 充分表征雪崩电压和电流 |
| 封装形式 |
TO-251、252、220 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF文件 | 总3页 |
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联系电话：0755-83888366-8022
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