100N03A供应商 KIA100N03A PDF文件 100N03A参数资料-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-23
KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对的阻力，提供优越的。
开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
特征：
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V
dv / dt的能力提高
快速开关
绿色环保
参数：
漏源电压(vdss):30V
栅源电压（vgss)：±20V
连续漏电流：（ld）：90A
脉冲漏极电流：360A
雪崩电流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率（pd）：88W
热电阻：60℃/W
漏源击穿电压：30V
栅极阈值电压（min）：1.2V
温度系数：-5mV/℃
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KIA100N03A(90A 30V) |
| 产品编号 |
100N03A/AB/AD/AP/AU |
| 产品工艺 |
KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对的阻力，提供优越的。 |
| 产品特征 |
RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V dv / dt的能力提高 快速开关 绿色环保 |
| 适用范围 |
适用于高效率开关电源，有源功率因数校正、基于半桥拓扑 |
| 封装形式 | TO-251、TO-252、TO-263、TO-220 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.47572.cn |
| PDF总页数 | 总5页 |
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