60R180场效应管,20a600v mos管,KLF60R180BD参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-07-09
60R180场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A ，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 160mΩ，低栅极电荷Qg=33.5nC，减少开关损耗，提高效率；具备高耐用性、超快开关速度、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定；在电池管理系统、负载开关、无刷直流电机控制中广泛应用；封装形式：TO-220F，散热出色。
漏源电压：600V
漏极电流：20A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：55A
单脉冲雪崩能量：655MJ
功率耗散：36W
阈值电压：3-5V
总栅极电荷：32.5nC
输入电容：1300PF
反向传输电容：36PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：48nS
上升时间：10ns
下降时间：6ns
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