逆变器电源管理,150a80vmos管,KNM2808A场效应管参数-KIA MOS管
信息来源:本站 日期:2025-06-23
KNM2808A场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ,RDS(ON)值为4mΩ,极低RDS(ON)和优秀栅极电荷,最大限度地减少导通损耗,最小化开关损耗;高输入阻抗、低功耗、开关速度快,高效稳定;100%雪崩测试,可靠且坚固,无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准),在切换应用程序、逆变器电源管理中广泛应用;封装形式:TO-247,提高产品性能。
漏源电压:80V
漏极电流:150A
漏源通态电阻:4mΩ
栅源电压:±25V
脉冲漏电流:660A
功率耗散:178W
总栅极电荷:152nC
输入电容:6109PF
输出电容:995PF
开通延迟时间:28nS
关断延迟时间:42nS
上升时间:18ns
下降时间:54ns
联系方式:邹先生
座机:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
QQ:2880195519
联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号:提供 MOS管 技术支持
免责声明:网站部分图文来源其它出处,如有侵权请联系删除。