直流电机控制pmos,-100v pmos,KPD6610B场效应管参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-05-23
KPD6610B场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-15A，低导通电阻RDS(开启) 170mΩ；具有低噪声，提高信号的保真度、高阈值电压，抗干扰能力强、低功耗，高效稳定；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于电源管理、直流电机控制等多种应用场景；封装形式：TO-252，体积小、散热良好。
漏源电压：-100V
漏极电流：-15A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-60A
雪崩能量单脉冲：49MJ
总功耗：61W
阈值电压：-1.2-2.2V
总栅极电荷：19nC
输入电容：1228PF
输出电容：41PF
反向传输电容：29PF
开通延迟时间：9nS
关断延迟时间：39nS
上升时间：6ns
下降时间：33ns
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
