pwm脉宽调制,30v80a场效应管,KNG3403C参数资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-05-06
KNG3403C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流80A，极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ，可最大限度地降低导通电阻，最小化开关损耗；低栅极电荷、低反向传输电容，高效低耗；快速切换能力和改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定可靠，广泛应用于PWM应用程序、开关电源、负载开关中，封装形式：DFN3*3，体积小、散热良好。
漏源电压：30V
漏极电流：80A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：320A
雪崩能量单脉冲：306MJ
总功耗：70W
阈值电压：1.6V
总栅极电荷：37.2nC
输入电容：1972PF
输出电容：214PF
反向传输电容：176PF
开通延迟时间：21nS
关断延迟时间：62nS
上升时间：16ns
下降时间：12ns
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