9150mos管,40a500v场效应管,KNH9150B参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-04-29
KNH9150B场效应管漏极电流40A，漏源击穿电压为500V，采用高级平面条纹DMOS技术，低导通电阻RDS(开启) 87mΩ，最大限度地减少开关损耗，低栅极电荷（典型值为117nC)、低跨导（典型值为8.6pF)，高效低耗；快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；封装形式：TO-3P，散热良好。
漏源电压：500V
漏极电流：40A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：160A
雪崩能量单脉冲：740MJ
最大功耗：543W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：119nC
输入电容：6965PF
输出电容：9PF
反向传输电容：680PF
开通延迟时间：50nS
关断延迟时间：215nS
上升时间：68ns
下降时间：30ns
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