mosfet驱动电路,原理图,工作原理详解-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-04-08
mosfet驱动电路设计要求：
1、当开关管导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流，使mos的栅极和源极之间的电压迅速升高到所需值，保证不仅开关管能快速开启而且在上升沿也没有高频振荡。
2、在开关导通期间，驱动电路要保证mos管的栅源极间电压保持稳定可靠导通。
3、在关断的瞬间，驱动电路要提供一条阻抗尽可能低的通路，快速将mosfet栅极和源极之间的电容电压放电，保证开关管能够快速关断。
4、电路结构要简单、高效、可靠。
5、相应地应用电气隔离。
mosfet驱动电路的原理是通过调节栅极电压控制漏源极的导通状态，利用栅极电容充放电实现快速开关。
电压驱动特性
mosfet是电压控制器件，栅极与源极间通过氧化层隔离，导通状态由栅源电压（VCs）决定。
N沟道增强型mosfet需施加正向VCs（高于阈值电压）形成导电沟道，使漏源极导通；关断时Vcs需降至阈值以下或施加负压。
栅极电容与充放电
关键参数：输入电容（CISS）、输出电容（COSS）、反馈电容（CRSS）共同影响开关速度。
动态过程：
导通：驱动电路需以低阻抗快速对栅极电容充电，缩短上升时间（TR）。
关断：需提供低阻抗放电回路，加速Vcs下降。
用于NMOS的驱动电路
用于PMOS的驱动电路
针对NMOS驱动电路简单分析：
Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。
最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
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