电机驱动mos,800vmos,?10a800v,KNF6180B场效应管参数-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2025-03-07
KNF6180B漏源击穿电压800V，漏极电流10A；采用专有高压平面VDMOS技术生产，改进的工艺和单元结构经过特别定制，极低导通电阻RDS(开启) 0.87Ω，可最大限度地降低导通电阻，高效低耗；低栅极电荷、低反向传输电容、改进的dv/dt能力，实现快速切换；在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，稳定可靠；广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器等；封装形式：TO-220F。
漏源电压：800V
漏极电流：10A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：40A
单脉冲雪崩能量：983MJ
功率耗散：62W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：32nC
输入电容：1625PF
输出电容：152PF
反向传输电容：6.4PF
开通延迟时间：28nS
关断延迟时间：90nS
上升时间：42ns
下降时间：75ns
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