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pmos电流方向,pmos工作区分析-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2025-02-20 

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pmos电流方向,pmos工作区分析-KIA MOS管


pmos电流方向

PMOS的电流方向是从源极(S)流向漏极(D),因为PMOS的沟道由空穴(带正电)形成,当栅极(G)相对于源极(S)为负电压时,会吸引沟道中的空穴向漏极(D)移动,从而形成从D到S的电流。

pmos电流方向,工作区

D极(漏极)

作用:漏极是PMOS中的电流流出端。

工作原理:当PMOS工作时,电流从S极(源极)流向D极(漏极),由于PMOS以空穴为主要载流子,电流的实际方向与电子流动方向相反。漏极通常接较低的电位(例如接地或负电源),使得电流可以从源极流向漏极。


S极(源极)

作用:源极是PMOS中的电流流入端。

工作原理:源极通常接较高的电位(如正电源),它提供空穴给沟道。PMOS的开关状态主要取决于源极与栅极之间的电压关系。当源极电位比栅极电位高时,PMOS导通;当源极电位与栅极电位差距不够时,PMOS关断。


G极(栅极)

作用:栅极控制PMOS的开关状态。

工作原理:栅极控制沟道的形成。

栅极电压相对于源极电压的变化会影响PMOS是否导通:

导通状态:当栅极电压低于源极电压时(一般小于一个阈值电压Vth),PMOS导通,此时空穴在源极和漏极之间形成沟道,电流能够流过。

关断状态:当栅极电压高于源极电压(或等于源极电压),沟道关闭,PMOS处于关断状态,不导通。


pmos工作区

1.截止区(Cutoff Region):Vgs>Vth,PMOS关断,没有导电沟道,Id=0。

2.线性区(Triode Region):Vgs<Vth 且Vds<Vgs-Vth,PMOS导通,Id ∝ Vds。

3.饱和区(Saturation Region):Vgs<Vth 且Vds>Vgs-Vth,PMOS导通,Id主要受Vgs控制,与Vds无关。


如何对NMOS和PMOS的工作区域进行判断?

方法一,就是分别进行讨论,注意PMOS中的值都是负数:

pmos电流方向,工作区

方法二,利用绝对值进行判断:

pmos电流方向,工作区


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