6n70参数及代换,6n70kl引脚参数,?KIA6N70H场效应管-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-09-05
KIA6N70H场效应管可以替代6n70型号应用在高效开关电源、LED驱动、电机驱动中，漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，最大限度地减少导通电阻，低栅电荷（典型16NC），提供卓越的开关性能；具有高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、dv/dt能力，能够承受高能脉冲的雪崩和换向模式；多种封装形式：TO-251、TO-252、TO-220F。
漏源电压：700V
漏极电流：5.8A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.8Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：20A
雪崩能量单脉冲：150MJ
最大功耗：95/48W
输入电容：650PF
输出电容：95PF
总栅极电荷：16nC
开通延迟时间：30nS
关断延迟时间：80nS
上升时间：40ns
下降时间：40ns
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