?10n65场效应管参数,KIA10N65H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-09-04
KIA10N65H场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低导通电阻，低栅极电荷(典型48nC)，有效降低开关损耗，提升效率；具有快速交换功能、指定的雪崩能量以及改进的DV/DT功能，稳定可靠，提高开关响应速度，可以替代10n65型号应用在高压、高速功率开关应用中，如高效开关电源、LED驱动、储能电源；封装形式：TO-220F。
漏源电压：650V
漏极电流：10A
漏源通态电阻：0.65Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：40A
雪崩能量单脉冲：709MJ
功率耗散：52W
总栅极电荷：48nC
输入电容：1650PF
输出电容：1665PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：140nS
上升时间：70ns
下降时间：80ns
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