4n65f参数及代换,KIA4365A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2024-09-02
KIA4365A场效应管可以替代4n65型号应用在高频开关电源、LED驱动和不间断电源（UPS）中，漏源击穿电压为650V，漏极电流4A，RDS（ON）典型值为2.0Ω，低导通电阻，减少导通损耗；具有快速切换技术，有效降低损耗，提高电路效率，改进的dv/dt能力在电路切换时快速响应，经过100%雪崩测试，在高压和高电流环境下稳定可靠；封装形式：TO-252、TO-220F。
漏源电压：650V
漏极电流：4A
漏源通态电阻：2.0Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：16A
雪崩能量单脉冲：180MJ
功率耗散：44.6W
总栅极电荷：15.7nC
输入电容：523PF
输出电容：58.7PF
开通延迟时间：12.1nS
关断延迟时间：36.8nS
上升时间：14.9ns
下降时间：11.3ns
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